发明名称 Halbleiteranordnung mit epitaxialem Material.
摘要
申请公布号 DE3588011(T2) 申请公布日期 1995.08.31
申请号 DE19853588011T 申请日期 1985.11.15
申请人 MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER WISSENSCHAFTEN EV, 37073 GOETTINGEN, DE 发明人 SCHUBERT, E., D-7000 STUTTGART 30, DE;PLOOG, KLAUS, D-7000 STUTTGART 1, DE;FISCHER, A., D-7121 LOECHGAU, DE;HORIKOSHI, YOSHIJI, TOKYO 196, JP
分类号 H01L29/812;H01L21/205;H01L21/331;H01L21/338;H01L29/15;H01L29/36;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/80;H01L29/861;H01L29/864;H01L31/0352;H01L31/10;H01L31/101;H01L33/06;H01S5/00;H01S5/30;H01S5/34;(IPC1-7):H01L29/205;H01L29/86;H01S3/18;G02F3/02 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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