发明名称 PREPARATION OF MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH07226499(A) 申请公布日期 1995.08.22
申请号 JP19930289818 申请日期 1993.10.27
申请人 ERUJII SEMIKON CO LTD 发明人 HIYON SAN HEN
分类号 H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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