| 主权项 |
1.一种具有一同闸极氧化层厚度的制造方法,适用于一矽基底上,该制造方法包括下列步骤:(a)形成场氧化物于该矽基底的既定位置上,于该场氧化物间定义出复数第一主动区和复数第二主动区;(b)形成一第一闸极氧化层于该等第一主动区和该等第二主动区上;(c)形成一遮蔽层覆盖于该等第一主动区上之该第一闸极氧化层上,以该遮蔽层做罩幕,去除该等第二主动区上之该第一闸极氧化层;(d)形成一第二闸极氧化层于该等第二主动区上,再去除该遮蔽层,完成该具有一不同闸极氧化层厚度的制造方法。2.如申请专利范围第1项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,步骤(b)和步骤(c)之间尚包括:以化学气相沈积法形成一氮化矽层覆盖于整个表面,经光学微影和蚀刻程序,去除该等第二主动区上之该氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,该蚀刻程序是以活性离子蚀刻法行之。4.如申请专利范围第1项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,步骤(b)和步骤(c)之间尚包括:以化学相沈积法形成一氮化矽层覆盖于整个表面,再以化学气相沈积一氧化矽层于该氮化矽层上;经光学微影和蚀刻程序,去除该等第二主动区上方之该氮化矽层;以该氧化矽层做罩幕,以热磷酸溶液蚀刻该氮化矽层;最后去除该氧化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,该氧化矽层的厚度是介于50埃至1000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,步骤(b)形成该第一闸极氧化层以及步骤(d)形成该第二闸极氧化层的方法,是以乾氧化法和湿氧化法中之一者,以温度介于750℃至1000℃间持续10分钟至2小时间的氧化条件生成。7.如申请专利范围第6项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,步骤(a)和步骤(b)间尚包括一调整临界电压的布植程序。8.如申请专利范围第7项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,该遮蔽层是厚度介于100埃至1000埃间之氮化矽物。9.如申请专利范围第8项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,步骤(c)去除该等第二主动区上之该第一闸极氧化层的方法,是以氢氟酸溶液去除。10.如申请专利范围第8项所述之该具有不同闸极氧化层厚度的制造方法,其中,去除该遮蔽层的方法,是以热磷酸溶液行之。图示简单说明:第1A—1D图系显示习知之具有不同闸极氧化层厚度的制造方法流程剖面图;第2A—2D图系显示根据本发明一较佳实施例的制造流程剖面图;第3A—3D图系显示根据本发明另一较佳实施例的制造流程 |
