| 发明名称 |
Method for fabricating integrated circuits with silicide |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG31395(G) |
申请公布日期 |
1995.08.18 |
| 申请号 |
SG19950000313 |
申请日期 |
1995.02.22 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
LIU RUICHEN;LU CHIH-YUAN;PAI CHIEN-SHING;TSAI NUN-SIAN |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/320 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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