| 发明名称 | 芯片电阻器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有低阻抗和小TCR的高精度芯片电阻器及其制造方法。该芯片电阻器包括绝缘基板，形成在该绝缘基板的至少一面之上的由Cu-Ni合金制成的电阻层，以及设置在该绝缘基板的一对端面上互相对面的端面电极，该端面电极与电阻层相连。电阻层由高温热处理含有Cu和Ni的镀膜层而成。端面电极由低温薄膜沉积技术制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1106952A | 申请公布日期 | 1995.08.16 |
| 申请号 | CN94118082.4 | 申请日期 | 1994.11.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山田博之;福冈章夫;津田清二 |
| 分类号 | H01C7/18 | 主分类号 | H01C7/18 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;萧掬昌 |
| 主权项 | 1、一种芯片电阻器，包括绝缘基板，形成在该绝缘基板的至少一面之上的由Cu-Ni合金制成的电阻层，以及设置在该绝缘基板的一对端面上互相对面的端面电极，该端面电极与该电阻层相连。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||