发明名称 磁光性层及磁光性记录媒体(一)
摘要 一种对所具短波长为 400至 550毫微米之光敏感且具有一垂直磁化之磁光性层可在室温下沈积于一基片上面。该磁光性层为三次合金者,其所具之成分为CO aPtbRuc,其中20≦a≦70,10≦b≦70,10≦c≦60及 a+b+c=100,或为COdPteRuf ,其中d≦80,5≦e,5≦f,40≦4d-5f及d+e+f=100,而该层所具之易磁化轴线系垂直于该层的主覆表面。该磁光性层可为上述两种三次合金的某一组合之四元合金 CoPtRuRe(钴铂钌铼)。
申请公布号 TW253050 申请公布日期 1995.08.01
申请号 TW082105083 申请日期 1993.06.25
申请人 帝人股份有限公司 发明人 千叶洁;武田良彦;梅泽朋一
分类号 G11B11/12 主分类号 G11B11/12
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种钴、铂及钌的三次合金之磁光性层,其具有CoC_aCPtC_bCRuC_cC的成分,而在CoC_aCPtC_bCRuC_cC中20≦a≦70,10≦b≦70,10≦c≦60及a+b+c=100,该磁光性层具有一与磁光性层的主要表面垂直之易磁化轴线,该磁光性层系为多晶。2.依据申请专利范围第1项之磁光性层,其中20≦a≦40,10≦b≦30,及40≦c≦60。3.一种磁光性记录媒体,其包括有一基片,及在该基片上包括有一如申请专利范围第1或2项所述之磁光性记录层。第1图所示为本发明的磁光性层的钴铂钌(CoPtRu)合金之成分范围;第2图所示为本发明之磁光性层的钴铂钌(CoPtRu)合金之成分范围;第3图所示为本发明的磁光性层之CoPtReRu合金的成分范围;第4图所示为范例中CoPtRu三次合金层之克尔磁滞曲线,及第5图所示为含有CoPtRe合金记录层的磁光性记录媒体之记录及再现特性。
地址 日本