发明名称 薄膜磁记录介质中底层添补
摘要 一种以钴为基材之薄膜磁性记录层之磁性性质系经控制,此与控制沈积磁性层本身之方法无关,其热式是在一种以铬为基材之底层之真空沈积(意即一种溅射方法或一种蒸发方法)期间,将可与程序相容之掺杂剂气体引进氩大气中,接着在该底层上沈积磁性层。亦可将此种相同或一种不同之摎杂剂,引进该磁性层中。上述可与此时序相容之掺杂气体,系含有氧、氮及/或碳,及其混合物,且包括纯化空气,氧气,氮气,一种氧与氮之混合物,一氧化碳,二氧化碳,甲烷及水蒸汽。
申请公布号 TW253566 申请公布日期 1995.08.01
申请号 TW082216187 申请日期 1991.12.31
申请人 万国商业机器公司 发明人 大卫.艾凡德.艾德蒙生;亚瑟.卡尔.瓦尔;肯尼士.艾姆德.强生;詹姆士.约瑟夫.麦耶尔
分类号 G11B5/82;G11B5/85;H01F41/18 主分类号 G11B5/82
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种硬质磁性记录磁碟,其包含:一个硬质,图盘 形状 ,非磁性基材元件,一个位在该基材元件上之经溅 射沈积 之铬基材底层,该底层系使用一种掺杂剂进行掺杂 ,此掺 杂剂系选自氧、氮、一种氧与氮之混合物、一氧 化碳、二 氧化碳、甲烷及水蒸汽,该铬基材底层系于氩气及 该选定 之掺杂剂存在下,经溅射沈积在该基材元件上,及 一个位 于该铬基材底层上之经溅射沈积之磁性记录薄膜 。2.根据申请专利范围第1项之记录磁碟,其中该磁 性记录 薄膜,系于氩气存在下,经溅射沈积在该铬基材底 层上。3.根据申请专利范围第2项之记录磁碟,其中 该铬基材底 层,系从一种选自Cr、CrW、CrV及CrNb之标靶元件,经 测 射沈积在该基材元件上。4.根据申请专利范围第3 项之记录磁碟,其中该薄磁性记 录膜,为一种钴基材薄膜。5.根据申请专利范围第4 项之记录磁碟,其中该钴基材薄 膜系选自Co/Pt/Cr、Co/Ta/Cr、Co/Ni/Cr及Co/Ta/Pt/Cr 。6.根据申请专利范围第3项之记录磁碟,其中该磁 性记录 薄膜为一种钴基材薄膜,且其中该铬基材底层系选 自Cr、 CrW、CrV及CrNb。7.根据申请专利范围第6项之记录磁 碟,其中该铬基材薄 膜系选自Co/Pt/Cr、Co/Ta/Cr、Co/Ni/Cr及Co/Ta/Pt/cr 。8.根据申请专利范围第7项之记录磁碟,其中该铬 基材底 层为约250 埃厚,且其中该钴基材薄膜为约650埃厚 。图1 为一种具体表现出本创作之硬质薄膜磁性记录磁 碟之一部 份之侧面截面图,图2为一个溅射室之简化图,其中 系将 本创作之经掺杂铬基材底层与经掺杂或未经掺杂 之钴基材 薄膜,连续溅射沈积在NiP涂层上,此涂层是由图1之 铝 基材之元件所携带,图2仅显示出根据本创作所必 须之数 种标靶元件之其中一种,图3为一种图形,此图形系 说明 图1之薄磁性记录膜之整体磁性性质(意即Hc、MrT及 S" ),是如何能在图1之铬基材底层与钴基材薄膜沈积 期间 ,经由改变进入图2溅射室之气流中之氮/氩气比例 而加 以控制,图4为一种图形,此图形系说明图1之薄膜磁 性 记录膜之整体磁性性质,是如何能够仅在图1之铬 基材底 层沈积期间,经由改变进入图2溅射室之气流中之 氮/氩 气比例而加以控制,图5为一种图形,此图形系说明 图1 之薄膜磁性记录膜之整体磁性性质,是如何能够仅 在图1 之钴基材薄膜沈积期间,经由改变进入图2溅射室 之气流 中之氮/氩气比例而加以控制,图6为一种比较图1之 钴 基材薄膜矫顽磁性之图形,(1)当只有铬基材底层经 由改 变进入图2溅射室之气流中之氮/氩气比例而进行 掺杂时 ,(2)当只有钴基材薄膜经由改变进入图2溅射室之 气流 中之氮/氩气比例而进行掺杂时,及(3)当铬基材底 层与 钴基材薄膜两者,均经由改变进入图2溅射室之气 流中之 氮/氩气比例而进行掺杂时,图7为一种图形,此图形 系 比较图1钴基材薄膜之矫顽磁性,(1)当只有铬基材 底层 经由改变进入图2溅射室之气流中之氧/氩气比例 而进行 掺杂时,及(2)当只有钴基材薄膜经由改变进入图2 溅射 室之气流中之氧/氩气比例而进行掺杂时,图8一种 类似 图3之图形,此图形系说明图1之薄磁性记录膜之整 体磁 性性质(意即Hc、MrT及S*),是如何能在图1之铬基材 底层与钴基材薄膜沈积期间,经由改变进入图2测 射室之 气流中之空气/氩比例而加以控制,图9为一种类似 图6 之图形,其系比较图1钴基材薄膜之矫顽磁性,(1)当 只 有铬基材底层经由改变进入图2溅射室之气流中之 空气/ 氩气比例而进行掺杂时,(2)当只有钴基材薄膜经由 改变 进入图2溅射室之气流中之空气/氩气比例而进行 掺杂时 ,及(3)当铬基材底层与钴基材薄膜两者,均经由改 变进 入图2溅射室之气流中之空气/氩气比例而进行掺 杂时, 图10显示在未使用本创作时,图1磁性薄膜之磁带回 线实 例,意即使用一种未经掺杂之铬基材底层,以比较 如图11 与12中所示使用本创作时之情况,图11显示图1磁性 薄膜 在下述情况中之磁带回线,其中,系根据本创作,将 铬基 材底层与图1磁性薄膜,于3氮/氩大气存在下进行溅 射 沈积,图12显示图1磁性薄膜在下述情况中之磁滞回 线, 其中,系根据本创作,将铬基材底层与图1磁性薄膜, 于 7氮/氩大气存在下进行溅射沈积,图13为一种图形, 此 图形系说明图1薄膜磁性记录层之矫顽磁性,是如 何能在 图1之铬基材底层与钴基材薄膜记录层沈积期间, 经由改 变甲烷在氩气中之掺杂百分比而加以控制,图14为 一种图 形,此图形系说明图1薄膜磁性记录层之矫顽磁性, 是如 何能在图1之铬基材底层与钴基材薄膜记录层沈积 期间, 经由改变2一氧化碳在氩气中之掺杂程度百分比而 加以控 制,及图15-17系个别说明比薄磁性记录膜之矫顽磁 性、 磁性顽磁、及矫顽垂直度之控制,其中系于图1之 铬基材
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