| 摘要 |
Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon, in het bijzonder een rooster voor halfgeleiderlasers, op het substraat van een geïntegreerd circuit door middel van e-beam lithografie. De nadelige effecten van het bekende ''proximity-effect'' worden voorkomen door extra belichting van het substraat in gebieden naast het te gebied met het te schrijven patroon. Deze extra belichting kan plaats vinden met een aanmerkelijk kleinere resolutie dan binnen het patroon, waardoor een aanzienlijke tijdwinst geboekt wordt t.o.v. gebruikelijke wijzen van ''ghost-exposure''. Bovendien kan op deze wijze het proximity-effect benut worden om de duty-cycle van het rooster de voor lasergebruik gewenste longitudinale variatie te geven. |
