| 发明名称 |
Single layer planar HgCdTe photovoltaic infrared detector with heterostructure passivation and p-on-n homojunction |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IL108589(D0) |
申请公布日期 |
1995.07.31 |
| 申请号 |
IL19940108589 |
申请日期 |
1994.02.08 |
| 申请人 |
TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L31/0216;H01L31/103;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L31/0216 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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