| 主权项 |
1.一种功率双载子电晶体的制造方法,适用于第一型浓掺植半导体基板制作功率双载子电晶体,且上述半导体基板当作上述功率双载子电晶体的集极区,而上述功率双载子电晶体的制造方法包括下列步骤:于上述第一型浓掺植半导体基板上依序形成第一型掺植层、第一型淡掺植层、第二型淡掺植层、第二型掺植层以反遮蔽层;于上述遮蔽层的既定位置形成开口;以上述遮蔽层为罩幕,经由上述开口而掺植第一型杂质至上述第二型掺植层,并驱入至上述遮蔽层下,以形成第一型浓掺植区;以上述其遮蔽层为罩幕,经由上述开口而形成凹槽,且上述凹槽穿过上述第二型掺植层,而达及上述第二型淡掺植层;掺植第一型杂质至上述凹槽内的第二型掺植层及第二型淡掺植层,而形成围绕上述凹槽且与上述第一型浓掺植区相接的第一型掺植区;以及于上述凹槽内形成导电层,并掺植第一型杂质至上述导电层,以便经由上述导电层而扩散上述第一型浓掺植区及第一型掺植区,而形成第一型扩散区,且上述第一型扩散区的杂质浓度大于上述第一型浓掺植区,以成为上述功率双载子电晶体的射极区。2.如申请专利范围第1项所述之功率双载子电晶体的制造方法,其中,上述导电层为复晶矽。3.如申请专利范围第2项所述之功率双载子电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽层为氧化物。4.如申请专利范围第3项所述之功率双载子电晶体的制造方法,其中,上述掺植层为磊晶层。5.如申请专利范围第4项所述之功率双载子电晶体的制造 |
