Integrated semiconductor memory circuit and operation thereof.

摘要

Die Halbleiterspeicherschaltung enthält Vorrichtungen (EQLDC), mittels derer zweite Elektroden von Speicherkondensatoren (DC) von Dummyspeicherzellen (DMC) mit einem Vorladepotential (VDC) beaufschlagbar sind, welches einen Wert aufweist, der 5 bis 35% größer ist als der Wert der halben Differenz aus einem Versorgungsspannungspotential (VDD bzw. VDDint) und einem Bezugspotential (VSS). <IMAGE>