发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 为了在具有多个槽的半导体表面上制造注入掩模,需使正性光刻胶层制作在表面上。在第一步中,以光照射要形成注入掩模的光刻胶部分,并在影象转变阶段中变成不溶性物,然后,不要掩模,以光照射该光刻胶并显影,使第一步中没有被光照射过的部分除去。这样制得的注入掩模具有后缩的轮廓,在槽区的窗口沿向槽底的方向而变宽。 | ||
申请公布号 | CN1029273C | 申请公布日期 | 1995.07.05 |
申请号 | CN92103136.X | 申请日期 | 1992.04.30 |
申请人 | 菲利浦光灯制造公司 | 发明人 | H·L·皮克 |
分类号 | H01L21/266 | 主分类号 | H01L21/266 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;肖掬昌 |
主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法,其中在半导体本体的表面上至少形成一个槽,该槽从表面延伸到半导体本体内,通过掩模用离子注入法,在该槽的一部分形成一掺杂区,其特征在于,将一正性光刻胶层制作在表面上与槽内;将待进行离子注入的区域的光刻胶层加掩蔽以防止受辐照,而光刻胶层不加掩蔽的部分受到第一次辐照,此后,通过一影象转变处理,使光刻胶层辐照过的部分变成不溶性物,在后续的第二次辐照步骤中,对待进行离子注入的区域的光刻胶层施加辐照,此后,经显影将上述的第一次辐照步骤时掩蔽着的光刻胶层部分除去;及第二次辐照步骤进行的辐照剂量,要比第一次辐照高。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |