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发明名称 Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung.
摘要
申请公布号 DE69016645(T2) 申请公布日期 1995.06.22
申请号 DE19906016645T 申请日期 1990.04.11
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., KADOMA, OSAKA, JP 发明人 OHZONE, TAKASHI, MORIGUCHI-SHI, OSAKA, JP;HORI, TAKASHI, HIRAKATA-SHI, OSAKA, JP
分类号 H01L21/28;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/792;H01L21/311 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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