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发明名称 MOS switching circuit having gate enhanced lateral bipolar transistor.
摘要
申请公布号 EP0431290(B1) 申请公布日期 1995.06.21
申请号 EP19900120140 申请日期 1990.10.20
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 DHONG, SANG HOO;CHEN, CHIH-LIANG;SHIN, HYUN JONG
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/07;H03K17/04;H03K17/567;H03K19/08;(IPC1-7):H03K17/56;H03K19/094 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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