| 发明名称 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH07153942(A) |
申请公布日期 |
1995.06.16 |
| 申请号 |
JP19930301464 |
申请日期 |
1993.12.01 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRON CORP |
发明人 |
YOKOZAWA MASAMI;SHINDO HIROYUKI;TAKEHARA HIDEKI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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