| 主权项 |
1.一用以注入一固定体积之第一流体的注入器组 件包括: 一装有一定量之第一流体的室,而且该室在一端上 具有一 第一阀而将该室与一第一流体源连接,该室之一部 份界定 出该固定体积;用以将该第一流体导入该室中并用 以将该 第一流体留置其中的装置;一在该固定体积部份之 一端与 该室连接的第二阀,使一第二流体流由一第二流体 源流入 该固定体积部份并迫使在该固定体积之第一流体 流入一目 标通道;以及一在该固定体积部份之另一端与该室 连接的 第三阀,该第三阀连通该固定体积部份与该目标通 道。2.依据申请专利范围第1项所述之注入器组件, 其中该第 一流体源具有一第一压力,该第二流体源具有一第 二压力 而且该目标通道与一目标流连通。3.依据申请专 利范围第2项所述之注入器组件,其中一具 有第三压力的第三流体源系与该目标通道之头连 接,该第 三压力系小于该第二流体源之第二压力。4.依据 申请专利范围第1项所述之注入器组件,其中该用 以导引该第一流体的装置包括一与该室之另一端 连接的真 空泵,该真空泵将该第一流体抽过该室。5.依据申 请专利范围第1项所述之注入器组件,其中用以 导引与留置该第一流体的装置包括一在该室之另 一端的第 四阀。6.依据申请专利范围第5项所述之注入器组 件,其中用以 导引该第一流体的装置包括一与该第四阀连接的 真空泵, 该真空泵将该第一流体抽过该室。7.依据申请专 利范围第3项所述之注入器组件,其中还包 括一将留置于该室中之第一流体加压到一预定压 力的第四 流体源。8.依据申请专利范围第1项所述之注入器 组件,其中该第 二阀系一T-阀,一与该室连接并形成该室之一部份 的贯 穿管道,以及一与该第二流体源连接的分支管道。 9.依据申请专利范围第1项所述之注入器组件,其中 还包 括一与该室热接触,并将留置在该室中之第一流体 加热到 一预定温度的加热器。10.一用以注入一固定体积 之第一流体的注入器组件包括 :一装有一定量之第一流体的室而且该室在一端上 具有一 第一阀而将该室与一第一流体源连接,该室之一部 份界定 出该固定体积;一在该固定体积部份之一端与该室 连接的 第二阀,使一第二流体流由一第二流体源流入该固 定体积 部份并迫使在该固定体积之第一流体流入一目标 通道;一 在该固定体积部份之另一端与该室连接的第三阀, 该第三 阀连通该固定体积部份与该目标通道;以及一用以 将该第 一流体导入该室并将该第一流体留置其中的第四 阀。11.一用以注入一固定体积之第一流体的注入 器组件包括 :一装有一定量之第一流体的室,而且该室在一端 上具有 一第一阀而将该室与一第一流体源连接,该室之一 部份界 定出该固定体积;一在该固定体积部份之一端与该 室连接 的第二阀,使一第二流体流由一第二流体源流入该 固定体 积部份并迫使在该固定体积之第一流体流入一目 标通道; 一在该固定体积部份之另一端与该室连接的第三 阀,该第 二阀连通该固定体积部份与该目标通道;以及一用 以将该 第一流体留置于该室中的压力源。12.一用以将一 固定积体之第一流体注入一目标流的注入 器组件包括:一在一基底中形成并装有该第一流体 的一第 一流体槽,该第一流体阀的一段界定出该固定积体 ;一第 一阀,该第一阀之座系形成在该基底中,该第一阀 使该第 一流体由一第一流体源流到该第一流体积中;一第 二阀, 该第二阀之座系形成在该基底中,该第二阀与该第 一流体 槽之固定体积段的一端,使该第二流体流入该固定 体积段 中并迫使在该固定体积段中之第一流体流入一与 该目标流 连通的目标通道;以及一第三阀,该第三阀之座系 形成于 该基底中,该第三阀与该第一流体槽之固定体积段 之另一 端连接,并且使该固定体积段与该目标通道连接。 13.依据申请专利范围第12项所述之注入器组件,其 中还 包括一与该室热接触,并将留置在该室中之第一流 体加热 到一预定温度的加热器。14.依据申请专利范围第 12项所述之注入器组件,其中该 第二阀系一T-阀,一与该室连接并形成该室之一部 份的 贯穿管道,以及一与一第二流体源连接的分支管道 。15.依据申请专利范围第12项所述之注入器组件, 其中一 层覆盖在有该第一与第二流体槽形成于其上之基 底的一部 份上。16.依据申请专利范围第15项所述之注入器 组件,其中该 注入器系由多层构成。17.依据申请专利范围第16 项所述之注入器组件,其中一 加热器系结合在一层中,加热在该第一流体槽中之 第一流 体。18.依据申请专利范围第16项所述之注入器组 件,其中一 第一电阻线系置于一层之表面上,导入一电流以加 热在该 第一槽中之第一流体。19.依据申请专利范围第18 项所述之注入器组件,其中一 第二电阻线系置于直接感应在该第一流体槽中之 第一流体 之温度的一层的表面上。20.一用以将一固定体积 之样品流体导入一目标流中的方 法包括下列步骤:提供一用以容纳该样品流体的室 ;界定 出具有该固定体积之室的一部份;将在该固定体积 部份之 一端上的第一阀连接到一清洗流体源;将在该固定 体积部 份之另一端上的一第二阀连接到一与该目标流连 通之目标 通道上;将该第一与第二阀关闭;将该样品流体注 入该室 中;将该样品流体留置在该室中;以及打开该第一 与第二 阀使一清洗流体流由该清洗流体源流出而通过该 第一阀并 进入该室之固定体积部份并且迫使在该固定体积 部份中之 样品流体通过第二阀到达与该目标流连通的目标 通道。21.依据申请专利范围第20项所述之方法还 包括一打开该 等第一与第二阀之前,将在该室中之样品流体加压 到一可 再现压力一段特定时间的步骤。22.依据申请专利 范围第20项所述方法还包括一在打开该 等第一与第二阀之前,将在该室之固定体积部份加 热到一 可再现温度的步骤。23.依据申请专利范围第20项 所述之方法,其中该第一阀 是一T-阀,而且连接一第一阀之步骤包括连接一在 该室 中该阀之贯通管道,因此该贯穿通道成为该室之一 部份, 以及将该T-阀之一分支管道连接到该清洗流体源 上。24.依据申请专利范围第20项所述之方法还包 括一在该注 入步骤之前,将阀依序打开而清洗出不必要之流体 的步骤 。第1A图是本发明一实施例中一流体样品注入装 置的示意 图。第1B图是具有在第1A图中所示之注射器装置的 气相色 层分析系统的示意图。第2A图是本发明另一实施 例中一流 体样品装置的示意图。第2B图是具有在第2A图中所 示之注 射器装置的气体色层分析系统的示意图。第3A-3C 图显示 分别以在 矽中之KOH蚀刻剂,在(110)矽中之KOH蚀刻剂 ,以及HF-HNOC_3C蚀刻剂在矽中蚀刻出之槽的横截面 图 。第4图显示一在一矽晶片上形成之微机械制的注 入器。 |
