PROCEDIMENTO PER PRODURRE UN DISPOSITIVO CMOS BIPOLARE

摘要

Procedimento per produrre un dispositivo CMOS bipolare per comprendere un transistor CMOS unipolare con una porta di polisilicio e un transistor NPN e VPNP auto-allineati su uno stesso chip. Un dispositivo CMOS bipolare prodotto secondo la presente invenzione è superiore ad un dispositivo non autoallineato in velocità operativa e densità integrata mediante autoallineamento di un transistor NPN bipolare e un transistor VPNP. Inoltre, un dispositivo CMOS con una porta di silicio e un transistor NPN e VPNP auto-allineati è integrato su uno stesso chip di modo che è possibile realizzare un dispositivo BiCMOS analogico e digitale con elevate prestazioni.