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发明名称
INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS FABRICATING METHOD
摘要
申请公布号
KR1019950003936(B1)
申请公布日期
1995.04.21
申请号
KR1019920000763
申请日期
1992.01.20
申请人
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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