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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines selbstisolierenden source/drain-Kontaktes in einem MOS-Transistor.
摘要
申请公布号 DE68918619(T2) 申请公布日期 1995.03.30
申请号 DE19896018619 申请日期 1989.03.23
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. (N.D.GES.DES STAATES DELAWARE), CARROLLTON, TEX., US 发明人 CHAN, TSIU CHIU, C/O SGS-THOMSON MICROELECTRONICS,, CARROLLTON, TX 75006, US;HAN, YU-PIN, C/O SGS-THOMSON MICROELECTRONICS,, CARROLLTON, TX 75006, US
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/60 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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