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发明名称 PROCESS FOR FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT BY A REPETITION OF EXPOSURE OF A SEMICONDUCTOR PATTERN
摘要
申请公布号 KR950002876(B1) 申请公布日期 1995.03.27
申请号 KR19910019878 申请日期 1991.11.09
申请人 FUJITSU LTD. 发明人 EMA, DAICHI;SHIRAI, HISATSKU;KOBAYASHI, KATSYOSHI;TAKUCHI, MASAO
分类号 H01L21/28;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G03F7/20 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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