| 发明名称 |
PROCESS OF FORMATION OF LAYER OF SILICON CARBIDE ON SILICON SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
RU2031476(C1) |
申请公布日期 |
1995.03.20 |
| 申请号 |
SU19925055302 |
申请日期 |
1992.07.20 |
| 申请人 |
NIZHEGORODSKIJ NAUCHNO-ISSLEDOVATELSKIJ PRIBOROSTROITELNYJ INSTITUT "KVARTS" |
发明人 |
GERASIMOV ALEKSEJ I |
| 分类号 |
H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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