Process for the production of rods and ingots from semiconductor material expanding on solidification, by crystallisation of a melt prepared from granules, and device therefore.

摘要

Bei dem Verfahren wird eine eine feste Phase des Halbleitermaterials überschichtende geschmolzene Phase des Materials mit einer dieser festen Phase gegenüberliegenden freien Oberfläche erzeugt, in welche beim Kristallisationsvorgang Energie eingestrahlt und Material in Granulatform zugeführt wird, welches aufschwimmt und aufgeschmolzen wird. Dadurch kommt es auf der gegenüberliegenden Grenzfläche fest/flüssig zum Aufwachsen von Material auf die feste Phase, welche nach Maßgabe der Aufwachsgeschwindigkeit nach unten abgezogen wird. Mit dem Verfahren lassen sich mono- oder multikristalline Stäbe oder Blöcke erhalten. Hauptvorteile des Prozesses liegen darin, daß ohne Schmelzgefäße gearbeitet werden kann, der Einsatz von Granulat möglich ist und die Energiebilanz wegen der geringen Schmelzenmengen günstig ist.