Methode zur Erzeugung einer halbleitenden Dünnschicht.,申请号DE1989618135T-传众专利搜索

发明名称	Methode zur Erzeugung einer halbleitenden Dünnschicht.
摘要
申请公布号	DE68918135(T2)	申请公布日期	1995.01.12
申请号	DE1989618135T	申请日期	1989.03.01
申请人	FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	ESHITA, TAKASHI, INAGI-SHI TOKYO 206, JP;MIENO, FUMITAKE SAGINUMADAI SKY MANSION 10, KAWASAKI-SHI KANAGAWA 213, JP;FURUMURA, YUJI, KAWASAKI-SHI KANAGAWA 214, JP;WATANABE, TAKUYA, SAGAMIHARA-SHI KANAGAWA 229, JP
分类号	H01L21/20;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/20	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
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