| 发明名称 |
Insulating layers for multilayer wiring |
| 摘要 |
<p>A multichip module structure incorporating a multilayer metallisation polymer dielectric deposition on a substrate wherein below the uppermost metallisation layer there is deposited a silicon nitride layer. Preferably a silicon nitride layer is also deposited above the uppermost metallisation layer. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
GB2279804(A) |
申请公布日期 |
1995.01.11 |
| 申请号 |
GB19930013720 |
申请日期 |
1993.07.02 |
| 申请人 |
* PLESSEY SEMICONDUCTORS LIMITED |
发明人 |
DAVID JOHN * PEDDER |
| 分类号 |
H05K1/03;H01L23/12;H01L23/498;H01L23/538;(IPC1-7):H01L23/522 |
主分类号 |
H05K1/03 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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