发明名称 苯乙烯衍生物
摘要 本发明系有关一种苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(1)所示之化合物:(式中,R1为氢原子、碳数1~20之直链状、支链状或环状的烷基或氟取代烷基、氯原子或三氯甲基;R2为苯酚之保护基;p、q、r分别为0≦p<5、0≦q<5、0<r<5之范围内的0或自然数,且0<p+q<5)。使用聚合本发明之苯乙烯而得到之聚合物所调制成的抗蚀材料对高能量射线具感应力,且对200nm以下,特别是170nm以下之波长具优良之灵敏度、解像性、耐等离子蚀刻性。因此,本发明之化合物特别适合作为F2激光之曝光波长下吸收较小之抗蚀材料的基础聚合物,故使用其之抗蚀材料易形成微细且垂直于基板之图形,而适用于超LSI制造用之微细图形形成材料。
申请公布号 TW506961 申请公布日期 2002.10.21
申请号 TW089118524 申请日期 2000.09.08
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 中岛睦雄;山润;渡边淳;原田裕次
分类号 C07C43/225 主分类号 C07C43/225
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(1)所示之化合物:(式中,R1为氢原子、碳数1-20之直链状、支链状或环状的烷基或氟取代烷基、氯原子或三氯甲基;R2为苯酚之保护基;p、q、r分别为0≦p<5.0≦q<5.0<r<5之范围内的0或自然数,且0<p+q<5)。2.如申请专利范围第1项之苯乙烯衍生物,其为,R1系氢原子之下列一般式(2)所示之化合物:(式中,R2,p,q,r同上述之意义)。3.如申请专利范围第2项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(3)所示之化合物:(式中,R2,r同上述之意义;s为0<s<5之范围内的自然数)。4.如申请专利范围第3项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(4)所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。5.如申请专利范围第4项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(5)所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。6.如申请专利范围第5项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。7.如申请专利范围第5项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(7)所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。8.如申请专利范围第5项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(8)所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。9.如申请专利范围第4项之苯乙烯衍生物,其为,下列一般式(9)所示之化合物:(式中,R2同上述之意义)。10.如申请专利范围第1-9项中任何一项之苯乙烯衍生物,其中,R2系选自甲基、乙烯基、烯丙基、基或下列一般式(10)、(11)、(12)、(13)及(14)所示之基:(式中,R3为碳数1-20之直链状、支链状或环状的烷基;R4.R5分别为氢原子,碳数1-20之直链状、支链状或环状之可含有杂原子的烷基;R6为碳数1-20之直链状、支链状或环状之可含有杂原子的烷基、芳基、芳烷基或羰基烷基;R4及R5.R4及R6.R5及R6可分别键结形成碳数3-12之环状构造;R7.R8.R9分别为碳数1-20之直链状、支链状或环状之可含有杂原子的烷基、芳基、芳烷基或羰基烷基;R7及R8.R7及R9.R8及R9可分别键结形成碳数3-12之环状构造;R10.R11.R12分别为碳数1-4之直链状或支链状的烷基;R13为碳数1-20之直链状、支链状或环状之可含杂原子的烷基、芳基、芳烷基或羰基烷基;a为0-10之整数)。
地址 日本