发明名称 非接触式探针及非接触式电压测量装置
摘要 为了要使受测接线之绝对电压的量测不具串话且不取决于该探针尖端与该受测接线间之间距成为可能。该导电薄膜22、23和24的电压是被该回馈电路55控制到使该差分放大器52之输出等于,例如,零。无外部电场作用到该针孔h,且该导电薄膜之电压与该受测接线之电压彼此相等。量测光线在该光电材料21中之极化的变化是被侦测成发生在该光电材料21中之电位差,且该受测接线12之电压以此电位差为基础来量测。因此该薄膜之电压是与该受测接线之电比较,即使当该非接触式换针20C与受测电路10间之距离发生误差时,该误差不会变成电压量测之误差,而如此,该受测接线12的电压可以高度精密地被量测。
申请公布号 TW237520 申请公布日期 1995.01.01
申请号 TW082106114 申请日期 1993.07.30
申请人 惠普公司 发明人 井郁夫
分类号 G01R1/67 主分类号 G01R1/67
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼之三
主权项 1.一种非接触式探针,包含一具用于外部电场之照射面和用于侦测光线之入射与放射的光电材料,其中该用于外部电场之照射面是被覆盖一层有一针孔的导电薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之非接触式探针,其中,该光电材料用于侦测光线之入射与放射面是被覆盖一层透明导电薄膜。3.如申请专利范围第1或2项所述之非接触式探针,其中,该光电材料用于外部电场之照射面以及该光电材料非为该侦测光线之入射与放射面之其它面是被覆盖一层导电薄膜。4.一种非接触式探针,包含一条含有由具光电效果之材料做成的心部和由折射率较该心部低的材料构成之外皮的光纤,其中该外皮位在至少该纤维之一端附近的外围面是被覆盖一层导电薄膜。5.一种非接触式探针,包含一条含有由具光电效果之材料做成之心部和由折射率较该心部低的材料构成之外皮的光纤,其中该外皮是由导电材料构成。6.一种非接触式电压测量装置,包含:一个用于产生侦测光的光源;如申请专利范围第1或2项所述之非接触式探针,其中被覆盖在该光电材料上的导电薄膜是被保持在一固定电压上,该非接触式探针是以使入射到该光电材料的侦测光线是从一针孔开孔面反射的方式,或者以平行于一具有针孔且邻近该针孔部份的面通过的方式被放置;用于控制该非接触式探针用于外部电场之照射面与一受测接线间之距离的装置;用于侦测从该光电材料放射出之光线的光侦测器;和用于以该光侦测器之输出为基础来侦测该侦测光在该光电材料内之极化状态的装置。7.一种非接触式电压测量装置,包含:一个用于产生侦测光之光源;如申请专利范围第1或2项所述之非接触式探针,其中,被覆盖在该光电材料上的导电薄膜是被保持在一固定电压上,该非接触式探针是以使入射到该光电材料中的侦测光是从一针孔开孔面反射的方式,或以平行一个具一针孔且邻近该针孔部份的面通过的方式被放置;用于控制该非接触式探针用于该外部电场的照射面与一受测接线间之距离的装置;用于侦测从该光电材料放射出之光线的光侦测器;用于以该光侦测器之输出为基础来侦测该侦测光在该光电材料中之极化状态的装置;和用于控制被覆盖在该光电材料上之导电薄膜的电压,使该光侦测器之输出为常値的回馈电路。8.一种非接触式电压测量装置,包含:一个用于产生侦测光之光源;一个光学上连接到该光源之非线性探针,该非线性探针包含如申请专利范围第4项所述之非接触式探针,其中,该导电薄膜是被保持在一固定电压上,或者如申请专利范围第5项所述之非接触式探针,其中,该具导电性之外皮是被保持在一固定电压上;用于控制该非接触式探针之光纤的一端面与一受测电线间之距离的装置;一个用于侦测该侦测光在该光纤之一端面处反射回来之光线的光侦测器,其中该反射光在该光纤内波传;和用于以该光侦测器之输出为基础来侦测该光侦测光在该光纤之心部内的极化状态的装置。9.一种非接触式电压测量装置,包含:一个用于产生侦测光的光源;如申请专利范围第4项或第5项所述之非接触式探针,该非接触式探针是被光学地连接到该光源;用于控制该非接触式探针之光纤的一端面与一受测电路间之距离的装置;一个用于侦测该侦测光在该光纤之端面处反射之反射光的光侦测器,其中该反射光在该光纤内波传;用于以该光侦测器之输出为基础来侦测该侦测光在该光纤之心部中的极化状态的装置;一个控制如申请专利范围第4项所述之非接触式探针的导电薄膜之电压或者如申请专利范围第5项所述之导电外皮的电压使该光侦测器之输出为一定値的回馈电路。第1图是非接触式探针和受测电路之不同模式的横截面视图,其中,(A)显示该光电材料用于外部电场之照射面是被覆盖一层具针孔之导电薄膜的情况,(B)显示在探针(A)中之该光电材料用于侦测光线之入射和放射面是被覆盖一层导电薄膜的情况,而(C)显示在该探针(B)中之光电材料的侧面是被覆盖一层导电薄膜的情况。第2图是显示采用如第1(A)图所示之非接触式探针于第1种发明装置中的图示。第3图是当本发明之非接触式探针被用在第1种发明装置时的边缘电场之状态的示意图。第4图是显示在第2种发明装置中使用如第1(C)图中所示之非接触式探针之实施例的图示。第5图是本发明之不同模式的非接触式纤维探针和受测电路之横截面图,其中(A)显示该外皮之侧面等是被覆盖该导电薄膜的情况,而(B)显示该外皮是由导电材料构成之情况。第6图是显示传统非接触式电压量测装置之探针尖端和该探针与受测电路
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