| 主权项 |
1.一种半导体装置包含:一合成基体具有一叠层构造包含一支持基体,一光遮蔽薄膜提供在该支持基体上,一绝缘膜提供至少在该光遮蔽薄膜上,及一半导体薄膜置于该绝缘膜上;一透明电极形成在该合成基体中至少该光遮蔽薄膜被除去的一部份上;及一开关元件,电连接至该透明电极,含有一电晶体包括一通道区形成在该半导体薄膜中及一主闸极用于控制该通道区之导通,在此处光遮蔽薄膜层是置于该主闸极之相反侧上与该通道区相对。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该光遮蔽层是由导电材料做成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该支持基体是由铝氧化物做成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该通道区形成在由单晶矽做成的半导体薄膜中。5.一合成基体具有一叠层构造包含:一支持基体由一透光绝缘材料做,一光遮蔽薄膜形成在该支持基体上,一绝缘膜形成至少在该光遮蔽薄膜上,及一半导体薄膜其是由单晶材料做成而固定地叠合在该绝缘膜上。6.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该光遮蔽薄膜是由导电材料做成。7.如申请专利范围第6项之合成基体,其中该光遮蔽薄膜是由聚矽做成。8.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该光遮蔽薄膜是由杂外延地生长在支持基体上之单晶矽做成,且该半导体薄膜是外延地生长在该光遮蔽薄膜上。9.如申请专利范围第6项之合成基体,其中该光遮蔽薄膜是一单层膜或多层膜,其包含至少锗,矽一锗,且/或矽其中之一。10.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该叠层构造包括一接地膜其置于支持基体与光遮蔽薄膜之间。11.如申请专利范围第10项之合成基体,其中该接地膜是由含氧氮化物做成。12.如申请专利范围第10项之合成基体,其中该接地膜是由矽氧化物做成,且该支持基体是由主要含有矽氧化物之石英做成。13.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该绝缘膜是由矽氮化物做成。14.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该绝缘膜是由矽氧化物做成。15.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该绝缘膜是一含有矽氮化物与矽氧化物之多层膜。16.如申请专利范围第5项之合成基体,其中该半导体薄膜含有一薄单晶矽膜。17.一种制造半导体装置之方法包含步骤:形成一基体具有叠层包括一光遮蔽薄层,一绝缘膜,及一半导体薄膜以此顺序叠合在支持基体上;藉由选择性地蚀刻该叠层来形成一光遮蔽层图案;形成一开关元件含有一电晶体具有一通道区在该半导体薄膜中及一主闸极覆盖该通道区;及形成一透明电极与该基体上之对应的开关元件电连接。18.一光阀装置包含:一合成基体具有叠层包括一支持基体,一光遮蔽薄膜形成在至少在该光遮蔽薄膜上之该支持基体之上,一半导体膜置于该绝缘膜上,一像素电极形成在该半导体膜上及一开关元件形成在该半导体膜上用于激励该像素电极;一相对基体以一预定空隙与该合成基体相对;及一光电材料填充该空隙用于依据该像素电极之激励而光学地改变。19.如申请专利范围第18项之光阀装置,其中由一电晶体做成之该开关元件具有一通道区形成在该半导体薄膜中及一主闸极用于控制该通道区之导通,且该光遮蔽薄膜是提供在该主闸极之相反侧上与该通道区相对。图1是一部份剖面图其指出一平板型半导体装置用于驱动光阀之构造;图2是一部份剖面图其指出一使用于制造上述半导体装置之合成基体的构造;图3和4是图形指出制造用于驱动光阀之平板型半导体的不同步骤;及图5是一立体图其指出使用本发明之半导体装置所构成之平板型光阀装置的构造 |
