制取固体激光器用的晶体薄膜的方法和装置

摘要

本发明方法通过采用半导体制作过程的类似方式(如CVD法)将材料和薄膜厚度控制在原子标度内，以用于制做薄膜晶体，所用的类似半导体制作过程是与常规技术完全不同的。本发明涉及制作固体激光器用的晶体薄膜，其中装在容器中的基片在高真空条件下被加热，构成激光器的材料以气体、离子、单一金属或者金属化合物形式被送到上述基片的表面上，在上述基片表面上成长晶体，与供送上述构成激光器主晶的材料的同时，将激活离子材料也送到上述基片的表面上，借此控制激活离子材料的价数，使与构成上述激光器主晶的晶体的金属离子价数一致。

主权项

1、一种制取固体激光器用的晶体薄膜的方法，包括以下步骤：在高真空条件下加热容器中的基片；构成激光器的材料以气体、离子、单一金属或者金属化合物形式供送至所述基片的表面上，在该表面上生长晶体；与供送所述构成激光器主晶的材料同时，将激活离子材料送至该基片表面上；借此控制激活离子材料的价数。使其构成所述激光器主晶体金属离子的价数一致。