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2 개의 트랜지스터 터너리 랜덤 액세스 메모리 (two transistor ternary random access memory; TTTRAM) 회로는 전압/전류 입력, 입력/출력 스위치, 제 1 트랜지스터, 제 1 풀 업 저항기, 제 2 트랜지스터 및 제 2 풀 업 저항기를 포함한다. 제 1 트랜지스터는 제 1 이미터, 입력/출력 스위치에 접속된 제 1 콜렉터, 및 제 1 베이스를 갖는다. 제 1 풀 업 저항기는 제 1 이미터 및 전압/전류 입력에 접속된다. 제 2 트랜지스터는 그라운드에 접속된 제 2 이미터, 제 2 콜렉터, 및 입력/출력 스위치에 접속된 제 2 베이스를 갖는다. 제 2 풀 업 저항기는 제 1 베이스, 제 2 콜렉터 및 전압/전류 입력에 접속된다. |
