发明名称 Verfahren zum Bilden einer amorphen Siliziumdünnschicht mittels Plasma-CVD.
摘要
申请公布号 DE69103251(T2) 申请公布日期 1994.11.24
申请号 DE19916003251T 申请日期 1991.11.25
申请人 CENTRAL GLASS CO. LTD., UBE CITY, YAMAGUCHI, JP;THE AGENCY OF INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MATSUDA, AKIHISA, TSUKUBA CITY, IBARAKI PREF., JP;MASHIMA, SATOSHI, MATSUSAKA CITY, MIE PREFECTURE, JP;TODA, MAKOTO, MATSUSAKA CITY, MIE PREFECTURE, JP;FUJITA, KOUJI, MATSUSAKA CITY, MIE PREFECTURE, JP
分类号 C23C16/24;C23C16/505;(IPC1-7):C23C16/24;C23C16/50 主分类号 C23C16/24
代理机构 代理人
主权项
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