| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zur Herstellung von Reliefabbildungen, umfassend die folgenden Schritte: (A) Beschichten eines Substrats mit einer photopolymerisierbaren Zusammensetzung enthaltend ein Polymer (a) und einen Photoinitiator (b), (B) bildmässiges Belichten des beschichteten Substrats mit UV-Strahlung im i-Linien-Bereich (ca. 360-370 nm), (C) Entfernen der unbelichteten Stellen mit Hilfe eines Lösungsmittels und (D) Tempern des belichteten und entwickelten Materials, dadurch gekennzeichnet, dass als Polymer (a) eine Polyimid-Vorstufe enthaltend wiederkehrende Strukturelemente der Formel (I) verwendet wird, <IMAGE> wobei → für Strukturisomere steht, worin X den vierwertigen Rest einer aromatischen Tetracarbonsäure darstellt, Y für einen zweiwertigen aliphatischen, cycloaliphatischen oder ein- oder mehrkernigen aromatischen Rest steht, A für -COO-, -CONH- oder -COO<⊖>HN<⊕>R2R3 steht, worin R2 und R3 unabhängig voneinander C1-C6-Alkyl oder C1-C6-Alkenyl bedeuten, und R1 ein Rest mit einer photopolymerisierbaren olefinischen Doppelbindung ist, mit der Massgabe, dass mindestens 50 % aller Reste X den Rest der Oxydiphthalsäure oder mindestens 50 % aller Reste Y einen Rest eines aromatischen Diamins darstellen, das an allen vier ortho-Positionen zu den beiden Aminstickstoffatomen unabhängig voneinander durch C1-C6-Alkyl, C1-C6-Alkoxy, C1-C6-Halogenalkyl, C6-C14-Aryl, Halogen oder Cyanogruppen substituiert ist, liefert hitze- und chemikalienbeständige Strukturen, die sich insbesondere zur Herstellung von Polyimid-Schutzlacken in der Elektronik-Industrie eignen.</p> |
