发明名称 FEEDBACK CIRCUIT FOR CMOS HIGH VOLTAGE GENERATOR TO PROGRAM (E)EPROM-MEMORY CELLS.
摘要 Circuit de réaction pour générateur de haute tension comprenant plusieurs étages de multiplication de tension branchés en série et où un oscillateur génère au moins deux impulsions d'horloge déphasées de 180 ° l'une par rapport à l'autre, ce qui régule alternativement des étages de multiplication de tension successifs, de façon à produire une impulsion de haute tension à la sortie dudit générateur; la sortie de haute tension est branchée au circuit de réaction et génère un signal de commande transmis à l'oscillateur de manière à modifier les deux impulsions d'horloge en fonction de la tension de la sortie de haute tension; le circuit de réaction est constitué par un circuit de réaction à haute tension comportant un étage d'entrée capacitif (CP, CR); le signal de sortie (VCTRLHV) du circuit de réaction à haute tension régule le courant d'une source de courant régulé et, au moins, l'oscillateur générant les impulsions d'horloge reçoit ledit courant en tant que signal de commande et, en fonction de celui-ci, régule la fréquence des impulsions d'horloge.
申请公布号 EP0621992(A1) 申请公布日期 1994.11.02
申请号 EP19930902569 申请日期 1992.12.29
申请人 SIERRA SEMICONDUCTOR B.V. 发明人 SEESINK, PETRUS, HENDRIKUS
分类号 G11C17/00;G11C16/06;G11C16/30;H02M3/07;(IPC1-7):H02M3/07 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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