发明名称 金属氧化物半导体技术放大器电路
摘要 当这型的放大器电路在现代MOS技术中实现时,非线性失真因为在通道区域中之由小尺寸引起的高电场强度而发生。本发明的一个目的是消除这种失真并降低杂讯。这可在其中放大器电路包含与第一串联组合相同的第二串联组合并与该第一串联组合形成通称为长尾对的电路下达成。长尾对电路包含额外的差分放大器,其输出经过分压器而连接于长尾对电路之负载电晶体的闸极电极,且长尾对电路中的电晶体是彼此相同的。
申请公布号 TW233389 申请公布日期 1994.11.01
申请号 TW082109305 申请日期 1993.11.06
申请人 飞利浦电子股份有限公司 发明人 艾佛特.希威克;杰柯卜.亨德利克.波特
分类号 H03F3/185 主分类号 H03F3/185
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.MOS技术放大器电路,其包含第一及第二MOS电晶体之主要电流通路的第一串联组合,该放大器电路的输入连结于该第一电晶体的闸极电极,该放大器电路的输出连结于该第一电晶体的汲极电极且第二电晶体的闸极电极连结于汲极电极,其特征为该放大器电路包含与第一串联组合相同的第二串联组合,且其包括第三和第四MOS电晶体的主要电流通路,该放大器电路的另一个输入连结于该第三MOS电晶体的闸极电极,该第一和该第三MOS电晶体的源极电极互相连结并连结于电流源,该第二和该第四MOS电晶体的汲极电极互相连结,该第一和该第三电晶体的汲极电极连接于差分放大器,该差分放大器的输出连结于该放大器的输出,而且经由一第一和一第二电阻的串联组合,也连接于该第二和该第四MOS电晶体的汲极电极,于其中该第一和第二电阻的接合连结于该第四电晶体的闸极电极,且于其中该等MOS电晶体是互相相同的。2.根据申请专利范围第1项之放大器电路,其中该差分放大器电路包含一第五及一第六MOS电晶体之主要电流通路的一第三串联组合、与第三串联组合相同的第四串联组合,且其包括一第七和一第八MOS电晶体的主要电流通路,该第五和该第七MOS电晶体的源极电极互相连接,且经由一第二电流源,连接于该第二和该第四MOS电晶体的汲极电极,该第五和该第七MOS电晶体的闸极电极共同形成差分放大器的输入,该第六和该第八MOS电晶体的闸极电极互相连结,且连接于该第八MOS电晶体的汲极电极,于其中该放大器电路包含一第九MOS电晶体,其源极电极连结于该第六和该第八MOS电晶体的源极电极及电源供应器接点,闸极电极连结于该第六电晶体的汲极电极,于其中该第九MOS电晶体的汲极电极形成该放大器电路的输出,且于其中该第五和该第七MOS电晶体互补于另外的MOS电晶体。图1显示出根据本发明之放大器电路,且图2显示出如
地址 荷兰