发明名称 Verfahren zum Bilden einer Struktur einer Halbleitereinrichtung vom Mehrschichttyp
摘要
申请公布号 DE4414369(A1) 申请公布日期 1994.10.27
申请号 DE19944414369 申请日期 1994.04.25
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ISHIBASHI, TAKEO, ITAMI, HYOGO, JP
分类号 G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027;(IPC1-7):H01L21/308;G03F7/22 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
地址