发明名称 Verfahren zum Herstellen borhaltiger und/oder phosphorhaltiger Silikatglasschichten für höchstintegrierte Halbleiterschaltungen.
摘要
申请公布号 DE58908376(D1) 申请公布日期 1994.10.27
申请号 DE19895008376 申请日期 1989.04.13
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 TREICHEL, HELMUTH, DIPL.-ING., D-8900 AUGSBURG, DE;FUCHS, DIETER, DIPL.-ING., D-8000 MUENCHEN 50, DE;HIEBER, KONRAD, DR., D-8214 BERNAU, DE;KRUCK, THOMAS, PROF. DR., D-5042 ERFTSTADT, DE;SPINDLER, OSWALD, DR., D-8011 VATERSTETTEN, DE;NEUREITHER, BERNHARD, DIPL.-ING., D-8000 MUENCHEN 83, DE
分类号 H01L21/225;H01L21/316;H01L21/82;(IPC1-7):H01L21/316 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
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