| 摘要 |
<P>Dispositif semiconducteur comprenant un transistor bipolaire latéral, par exemple du type PNP, ayant, dans une couche épitaxiale N (3) formée en surface d'un substrat P (1), une région d'émetteur P (15, 16) et une région de collecteur P (17), espacées latéralement par une région de base N (19), ce transistor comprenant en outre une couche enterrée N+ + (18). <BR/> Dans ce transistor latéral, le gain en courant est très fortement augmenté, lorsque l'émetteur est formé d'unedite première région partielle d'émetteur faiblement dopée P, s'étendant sous une couche isolante (6) et d'unedite seconde région partielle d'émetteur (16) fortement dopée P+ + s'étendant sous la zone de contact d'émetteur (26) délimitée par une ouverture dans la couche isolante (6). Les épaisseurs et les dopages respectifs des première (15) et seconde (16) régions d'émetteur sont prévus pour que la première région soit transparente aux électrons et la seconde forme un écran pour les électrons. De plus, le rapport des aires des deux régions partielles (Sox/Sm) est supérieur à 2, l'aire (Sm) de la seconde région (16) étant choisie petite. Les diverses régions du transistor sont formées de couches très minces. Le transistor peut aussi être NPN. <BR/> Application: circuits intégrés en silicium</P>
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