| 摘要 |
<p>Es wird ein Plasma-Ätzverfahren zur Reinigung seitlich freiliegender pn-Übergänge von Halbleiterelementen, insbesondere Leitungsdioden (16), nach dem Zusammenlöten des entsprechenden Halbleiterchips (18) mit Anschlusselementen (17, 19) vorgeschlagen, bei dem als Ätzgase Fluorverbindungen eingesetzt werden.</p> |
