| 主权项 |
1.一种电晶体的隔离方法,适用于半导体材料形成复数电晶体,上述电晶体的隔离方法包括下列步骤:于上述半导体材料之制作上述电晶体的主动区上依序形成衬垫氧化物及氮化物;掺植与上述半导体材料同型的掺植杂质,以形成通道停止区;以及形成场区氧化物;其特征在于:上述形成通道停止区之步骤具有下列步骤:植入上述掺植杂质,以形成淡掺植区;于上述氮化物的侧边形成边墙间隔物;以及植入上述掺植杂质,以形成浓掺植区。2.如申请专利范围第1项所述之电晶体的隔离方法,其中,上述形成通道停止区之步骤更具有将上述边墙间隔物去除之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之之电晶体的隔离方法,其中,上述淡掺値区的掺植量为310C^13C/cmC^2C,而上述浓掺植区的掺植量为810C^13C/cmC^2C。4.如申请专利范围第1或2项所述之电晶体的隔离方法,其中,上述掺植杂质系使用P型掺植杂质。5.如申请专利范围第1或2项所述之电晶体的隔离方法,其中,上述掺植杂质系使用N型掺植杂质。第1图系显示用以说明习知之电晶体的隔离方法的剖面图;第2图系显示习知之电晶体的隔离方法应用于N通道电晶体的剖面示意图;第3图系显示用以说明本发明之电晶体的隔离方法的剖面图;以及第4图系显示本发明之电晶体的隔离方法 |
