发明名称 LASER SEMICONDUCTOR DE DOBLE CANAL Y SU PROCEDIMIENTO DE REALIZACION.
摘要 LA CORRIENTE DE ALIMENTACION DE UN LASER DE FOSFURO DE INDIO O ARSENIURO DE GALIO ESTA CONFINADO EN UNA CINTA LASER (14A) POR DOS MEDIOS. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE CERCANA Y CONSTITUIDO POR UNA UNION BLOQUEANTE (JB) FORMADA EN DOS CANALES LATERALES (CL) QUE DELIMITAN ESTA CINTA. UN MEDIO DE BLOQUEO DE CORRIENTE ALEJADA ESTA CONSTITUIDA POR UNA CAPA SEMIAISLANTE (24) IMPURIFICADA CON HIERRO Y DEPOSITADA EPITAXIALMENTE ANTES DEL GRABADO DE LOS CANALES LATERALES. LA INVENCION SE APLICA PARTICULARMENTE EN LA REALIZACION DE LOS LASERES DE BOMBEO UTILIZADOS EN LOS AMPLIFICADORES OPTICOS DE LAS CONEXIONES DE FIBRAS OPTICAS.
申请公布号 ES2056003(T3) 申请公布日期 1994.09.01
申请号 ES19920111883T 申请日期 1992.07.13
申请人 ALCATEL CIT 发明人 BRILLOUET, FRANCOIS;GARABEDIAN, PATRICK;GOLDSTEIN, LEON;PAGNOD-ROSSIAUX, PHILIPPE
分类号 H01S5/00;H01S5/227;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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