发明名称 |
FORMATION METHOD OF NONVOLATILE MEMORY ELEMENT |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH06237001(A) |
申请公布日期 |
1994.08.23 |
申请号 |
JP19920357770 |
申请日期 |
1992.12.25 |
申请人 |
INTEL CORP |
发明人 |
DANIERU ENU TAN;GUREGORII II ATOUTSUDO |
分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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