| 主权项 |
1.一种具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法,适用于具有第二型井区的第一型基板分别制造第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体,而上述具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法包括下列步骤:于上述第一型基板的既定位置形成上述第二型井区;于欲形成上述第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体的通道区上以及欲形成上述第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体的汲极区和源极区与上述第一型基板和第二型井区的接触区之间分别形成遮蔽物;进行第一次氧化,以形成第一场区氧化物;去除上述第一场区氧化物;以上述遮蔽物为罩幕,分别掺植第一型掺植杂质及第二型掺植杂质,而分别形成上述第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体的汲极区和源极区以及上述第一型基板和第二型井区的接触区;进行第二次氧化,以形成第二场区氧化物;形成闸极氧化物和于上述第二场区氧化物形成接触窗;以及施行金属化,以形成上述第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体的金属闸极以及上述源极区和汲极区的金属接触。2.如申请专利范围第1项所述之具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,于上述第一型MOS电晶体及第二型MOS电晶体的汲极区和源极区与上述第一型基板及第二型井区的接触区之间分别掺植第一型掺植质和第二型掺植杂质,以提高其临限电压値。3.如申请专利范围第1或2项所述之具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物系由氧化物及氮化物所构成。4.如申请专利范围第3项所述之具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。5.如申请专利范围第3项所述之具有自动对准之金属闸CMOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。第1图(a)至(g)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电晶体中之NMOS电晶体的剖面图;以及第2图(a)至(g)系显示用以说明依据本发明来制造CMOS电晶 |
