| 发明名称 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06224421(A) |
申请公布日期 |
1994.08.12 |
| 申请号 |
JP19930010966 |
申请日期 |
1993.01.26 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
MATSUDA JUNICHI;KANETANI YASUHIRO;OKABE YUUSHIROU |
| 分类号 |
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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