| 发明名称 |
HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06216233(A) |
申请公布日期 |
1994.08.05 |
| 申请号 |
JP19930007976 |
申请日期 |
1993.01.20 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
发明人 |
IITAKA YUKIO;YAMAGUCHI SHUICHIRO;MIYAJIMA HISAKAZU;SUGIURA YOSHIYUKI |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/76;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/90 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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