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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-Sinterkörpers
摘要
申请公布号 DE3839701(C3) 申请公布日期 1994.08.04
申请号 DE19883839701 申请日期 1988.11.24
申请人 NGK INSULATORS, LTD., NAGOYA, AICHI, JP 发明人 HAYAKAWA, ISSEI, NAGOYA, AICHI, JP;ITO, SHIGENORI, KASUGAI, AICHI, JP
分类号 C04B35/593;(IPC1-7):C04B35/58;C04B35/64 主分类号 C04B35/593
代理机构 代理人
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