发明名称 Hochfrequenz-Bipolartransistor und dessen Herstellungsverfahren.
摘要
申请公布号 DE3850309(D1) 申请公布日期 1994.07.28
申请号 DE19883850309 申请日期 1988.07.22
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., KADOMA, OSAKA, JP 发明人 OTA, YORITO, NISHI-KU KOBE-SHI HYOGO-KEN, 673, JP;INADA, MASANORI, HEGURI-CHO IKOMA-GUN NARA-KEN, 636, JP;YANAGIHARA, MANABU, MIDOU-CHO KADOMA-SHI OSAKA-FU, 571, JP
分类号 H01L21/331;H01L29/10;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/06;H01L29/73 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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