| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé pour fabriquer un transistor à films minces, consistant à former une électrode de grille (12) sur un substrat isolant transparent (11); à superposer plusieurs films isolants de grille (13, 14) dotés d'indices de réfraction différents, et à déposer une couche semi-conductrice (15), une couche d'arrêt de réactif d'attaque chimique (16) et un film de photorésist; à exposer la structure résultante à une lumière arrière en utilisant l'électrode (12) comme masque, et à développer le film de photorésist pour le doter d'un motif afin que l'électrode (12) soit recouverte d'une longueur de recouvrement prédéterminée par chacune d'une électrode de source (19a) et d'une électrode de drain (19b) formées ultérieurement; à soumettre à une attaque chimique sélective la couche (16); à éliminer le film de photorésist et puis à déposer une couche semi-conductrice dopée de type N à forte concentration (18) et une couche de métal; et à éliminer des parties de la couche (18) et de la couche de métal, disposées au-dessus de la couche (16), pour former les électrodes de source et de drain (19a, 19b).</P> |
