| 发明名称 |
FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06177380(A) |
申请公布日期 |
1994.06.24 |
| 申请号 |
JP19920203670 |
申请日期 |
1992.07.30 |
| 申请人 |
NEC CORP |
发明人 |
ISHIKAWA HITOSHI;KOBAYASHI ATSUSHI;JIYO SHINHI;SATO MASAHARU |
| 分类号 |
H01L51/05;H01L21/28;H01L29/43;H01L29/78;H01L29/786;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;(IPC1-7):H01L29/784;H01L29/28;H01L29/46 |
主分类号 |
H01L51/05 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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