具有感测放大器电路之半导体积体电路装置

摘要

一种如图３所示之感测放大器电路，供感测一极小之信号，电路包括有两个ＭＯＳ电晶体Ｍ１与Ｍ２，此两ＭＯＳ电晶体Ｍ１与Ｍ２可响应于输入信号线Ｉ１与Ｉ２间的差分电压而进行差分操作，以及分别连接于各电晶体Ｍ１和Ｍ２的汲极区与闸极区之间的开关Ｓ１１与Ｓ１２。在电路感测及放大信号之前，开关Ｓ１１与Ｓ１２先接通，以产生各电晶体Ｍ１与Ｍ２的闸极区与源极区间之临限电压。于是，依据各电晶体间之临限电压差异，可在信号放大之前根据电晶体之偏压来自行调整。所得到之感测放大器电路可与临限电压之差异无关地进行其操作。此种感测放大器可应用作为ＤＲＡＭ中之感测放大器。

主权项

图示简单说明: 图1为示意图,子出本发明之概念结 构; 图2为示意图,子出与本发明之概念 相关的操作; 图3子出本发明的第一实施例; 图4系供图示说明本发明第一实施例 的操作; 图5子出本发明的第二实施例; 图6系供图示说明本发明第二实施例 的操作; 图7为示意图,子出本发明的第三实 施例; 图8系供图示说明本发明的第三实施 例之操作; 图9子出本发明的第四实施例; 图10系供图示说明本发明第四实施例 的操作; 图11为示意图,示出本发明的第五实 施例; 图12系供图示说明本发明第五实施例 的操作; 图13示出本发明一实施例之控制电路 的一部分; 图14系供图示说明图13之电路的操作 图15为示意图,子出本发明的第六实 施例; 图16系供图示说明本发明第六实施例 的操作; 图l7a与l7b子出本发明一实施例中 各种电阿大小问的关系; 图18子出本发明的第十实施例; 图19a、l9b与l9e为示意图,子出 本发明一实施例中之控制电路安排方式; 图20子出本发明一实施例中之读取电 路的一部分; 图21系供图示说明图20之电路的操作 图22子出应用本发明而构成之系统结 构; 图23子出DRAM结构的一个习知例;而 图24系供图示说明图23之习知例的操 作。