| 发明名称 | 陶瓷元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的陶瓷元件的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的陶瓷元件。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50kV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1087443A | 申请公布日期 | 1994.06.01 |
| 申请号 | CN93119062.2 | 申请日期 | 1993.09.03 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 野井庆一;上野巖;生越洋一;若畑康男 |
| 分类号 | H01C7/10;H01C17/30 | 主分类号 | H01C7/10 |
| 代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 汪瑜 |
| 主权项 | 1、一种陶瓷元件的制造方法，其特征在于工序如下：(1)用半导体陶瓷材料作成一定形状的陶瓷元件；(2)在前述陶瓷元件表面至少形成2个电极；(3)焙烧带前述电极的陶瓷元件；(4)在前述烧成后的陶瓷元件的电极之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是最大值为50KV以下，从初始值至最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||