| 摘要 |
Zur Herstellung einer Isolationsstruktur in einem Substrat wird an der Oberfläche des Substrats ein von einem ersten Leitfähigkeitstyp dotiertes Gebiet (12) erzeugt, das in vertikaler Richtung durch eine Isolation (11, 12) begrenzt ist. In die Oberfläche des vom ersten Leitfähigkeitstyp dotierten Gebietes (12) wird ein Graben (13) geätzt, der ein zu isolierendes Gebiet (121) vollständig umgibt. Durch Ausdiffusion aus von einem zweiten, zum ersten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp dotierten Material (131), das zuvor auf die Oberfläche des Grabens (13) aufgebracht wird, wird ein vom zweiten Leitfähigkeitstyp dotiertes Gebiet (14) erzeugt, das sich in zur Oberfläche des Substrats vertikaler Richtung unterhalb des Grabens (13) bis zu der Isolation (11, 12) erstreckt. <IMAGE>
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